Учёные ННГУ запатентовали способ очистки наноматериала для производства микросхем

Учёные Университета Лобачевского запатентовали способ глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния для полировальных суспензий, которые применяют при производстве микросхем. Об этом сообщила пресс-служба вуза.

Исследователи также разработали подход к комплексному управлению свойствами наночастиц. По данным университета, разработка позволяет получать частицы заданного размера и формы, с высокой однородностью, стабильностью и низким содержанием примесей. Эти характеристики определяют возможность использования материала в микроэлектронике.

В рамках проекта специалисты создали технологическую линию и регламент получения полировальной суспензии. Полученный состав направили индустриальному партнёру на апробацию.

Как пояснила руководитель исследования, кандидат химических наук Ксения Отвагина, запатентованный способ предназначен для очистки аморфного диоксида кремния, синтезированного методом Штобера. Такой материал используют для химико-механической полировки полупроводниковых пластин и в других процессах, требующих высокочистых абразивных наноматериалов. От размера, формы и однородности частиц зависит качество обработки пластин.

Сейчас проект находится на этапе опытно-технологической отработки. Подбор состава и условий синтеза в значительной степени завершён. Основное внимание учёные уделяют проверке стабильности технологии при масштабировании и испытаниям материалов совместно с индустриальным партнёром.

Работа идёт с 2024 года в рамках стратегического проекта «Новые материалы для микроэлектроники» программы «Приоритет-2030». По данным университета, ограничения поставок создали потребность в отечественных полировальных суспензиях, сопоставимых по характеристикам с зарубежными. Разработка направлена на снижение зависимости российской микроэлектроники от импортных материалов.